ROF Si 可変ゲイン光検出器 シリコン光検出器
特徴
l スペクトル範囲：320nm～1100nm
l 3dB帯域幅：最大11MHz
最大ゲイン設定値：4.75×10⁶ V/A（高インピーダンス負荷時）
低騒音
空間光結合入力、光ファイバー結合はオプション
応用
微弱光検出
光ファイバーセンシングシステム
宇宙光通信
注文情報
| モデル パラメータ | 連射速度-PR-11M-B | 連射速度-PR-13M-A |
| 応答周波数 | DC-11MHz | DC-13MHz |
| タイプ | シリコン（Si） | インジウムガリウムヒ素（InGaAs） |
| 光に対する感受性 1 | 320nm～1100nm | 900nm～1700nm |
| 光感受性領域 | Ø9.8 mm (75.4 mm2 ) | Ø1.0 mm (0.8 mm2 ) |
注1：概算値です。実際の波長値は異なる場合があります。
パラメータ
| 性能仕様 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0dB 設定 | 40dB 設定 | ||
| ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 1.50 x 103V/A ±2% | ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 1.50 x 105V/A ±2% |
| ゲイン（50Ω） | 0.75 x 103V/A ±2% | ゲイン（50Ω） | 0.75 x 105V/A ±2% |
| 3dB帯域幅3 | 11MHz | 3dB帯域幅 | 15万ドル |
| ノイズ（実効値） | 400μV | ノイズ（実効値） | 500μV |
| バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） | バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） |
| 10dB 設定 | 50dB 設定 | ||
| ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 4.75 x 103V/A ±2% | ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 4.75 x 105V/A ±2% |
| ゲイン（50Ω） | 2.38 x 103V/A ±2% | ゲイン（50Ω） | 2.38 x 105V/A ±2% |
| 3dB帯域幅 | 1.4 MHz | 3dB帯域幅 | 50K |
| ノイズ（実効値） | 350μV | ノイズ（実効値） | 520μV |
| バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） | バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） |
| 20dB 設定 | 60dB 設定 | ||
| ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 1.50 x 104V/A ±2% | ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 1.50 x 106V/A ±2% |
| ゲイン（50Ω） | 0.75 x 104V/A ±2% | ゲイン（50Ω） | 0.75 x 106V/A ±2% |
| 3dB帯域幅 | 1.0MHz | 3dB帯域幅 | 20K |
| ノイズ（実効値） | 380μV | ノイズ（実効値） | 760μV |
| バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） | バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） |
| 30dB 設定 | 70dB 設定 | ||
| ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 4.75 x 104V/A ±2% | ゲイン（高抵抗>5kΩ） | 4.75 x 106V/A ±2% |
| ゲイン（50Ω） | 2.38 x 104V/A ±2% | ゲイン（50Ω） | 2.38 x 106V/A ±2% |
| 3dB帯域幅 | 40万ドル | 3dB帯域幅 | 10K |
| ノイズ（実効値） | 380μV | ノイズ（実効値） | 1.43mV |
| バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） | バイアス | ±8 mV（標準値） ±20mV（最大） |
注2：連射速度PR-11M-Bには、50Ωの直列終端抵抗（アンプ出力と直列接続）が内蔵されています。これにより、任意の負荷インピーダンス（例えば、信号を半分に分割する50Ωの負荷）に対して分圧回路が形成されます。
注3：850nmの波長で試験を実施してください。近赤外波長では、フォトダイオード部品の立ち上がり時間が遅くなり、増幅検出器の実効帯域幅が制限される可能性があります。
一般パラメータ
| プロジェクト | シン | 価値 |
| 検出器の種類 | - | Si |
| 感光面 | - | Ø9.8 mm (75.4 mm2 ) |
| ピーク波長 | λp | 960 nm（標準値） |
| ピーク応答 | Â( λ p) | 0.72 A/W（標準値） |
| 出力インピーダンス | - | 50Ω |
| 最大出力電流振幅 | IMAX | 100mA |
| 最大出力電圧振幅 | 最大速度 | 高インピーダンス時10.00V、50Ω負荷時5.00V |
| 負荷範囲 | - | 50Ω以上 |
| ゲイン調整範囲 | - | 0dB～70dB |
| ゲインステップ | - | 10 dB |
| 電源スイッチ | - | 側 |
| ゲインスイッチ | - | 8速 |
| 出力 | - | SMA（DCカップリング） |
| 製品寸法 | - | 66.6mm×52.2mm×22.4mm |
| PD表面深さ4 | - | 6.1mm |
| 重量（付属品を除く） | - | 70g |
| アクセサリー | - | SM1T1カップリング、SM1RR保持リング |
| 電源 | - | AC-DC ±12Vアダプター |
| 電源ワット数 | - | 6W 100V/120V/230V、50-60Hz |
注4：筐体構造の表面からフォトダイオードの表面までの概算高さは、実際の設置において誤差を生じさせる可能性があります。
限界条件
| パラメータ | シン | ユニット | ミン | 典型的な | マックス |
| 入力光パワー | ピン | mW | - | - | 25 |
| 動作電圧 | ヴォップ | V | ±10.8 | ±12 | ±13.2 |
| 動作温度 | トップ | ℃ | -10 | - | 60 |
| 保管温度 | 味 | ℃ | -40 | - | 85 |
| 湿度 | RH | % | 5 | - | 90 |
曲線
特性曲線
連射速度-PR-11M-B 感度応答図
パッケージサイズ（mm）
私たちについて
Rofea Optoelectronicsは、変調器、光検出器、レーザー光源、DFBレーザー、光増幅器、EDFA、SLDレーザー、QPSK変調器、パルスレーザー、光検出器、バランス型光検出器、半導体レーザー、レーザードライバ、ファイバーカプラ、パルスレーザー、ファイバー増幅器、光パワーメータ、広帯域レーザー、波長可変レーザー、光遅延器、光変調器、光検出器、レーザーダイオードドライバ、ファイバー増幅器、エルビウム添加ファイバー増幅器、光源レーザーなど、幅広い電気光学製品を展示しています。
当社では、大学や研究機関向けに特別に設計された、1×4アレイ位相変調器、超低Vpi変調器、超高消光比変調器などのカスタム変調器も提供しています。
これらの製品は、最大40GHzの電気光学帯域幅、780nmから2000nmの波長範囲、低挿入損失、低Vp、高PERといった特長を備えており、様々なアナログRFリンクや高速通信アプリケーションに適しています。
Rofea Optoelectronicsは、商用電気光学変調器、位相変調器、強度変調器、光検出器、レーザー光源、DFBレーザー、光増幅器、EDFA、SLDレーザー、QPSK変調器、パルスレーザー、光検出器、バランス型光検出器、レーザードライバー、光ファイバー増幅器、光パワーメーター、広帯域レーザー、波長可変レーザー、光検出器、レーザーダイオードドライバー、光ファイバー増幅器など、幅広い製品ラインナップを提供しています。また、1×4アレイ位相変調器、超低Vpi変調器、超高消光比変調器など、カスタマイズ可能な特殊変調器も多数ご用意しており、主に大学や研究機関で使用されています。
弊社の製品が皆様の研究のお役に立てれば幸いです。
