LバンドEDFAアンプシステム技術スキーム

EDFAは、エルビウムイオンドープ繊維をゲイン培地として使用し、ポンプ光下で個体群の反転を生成します。信号光の誘導下での刺激放射の増幅を実現します。
エルビウムイオンには3つのエネルギーレベルがあります。彼らは、どんな光にも興奮していないとき、E1で最も低いエネルギーレベルです。繊維がポンプ光源レーザーによって継続的に励起されると、基底状態の粒子はエネルギーを獲得し、より高いエネルギーレベルに移行します。 E1からE3への遷移など、粒子はE3の高エネルギーレベルで不安定であるため、非放射遷移プロセスではすぐにメタスト可能な状態E2に落ちます。このエネルギーレベルでは、粒子は比較的長い生存寿命を持っています。ポンプ光源の継続的な励起により、E2エネルギーレベルの粒子の数は増加し続け、E1エネルギーレベルの粒子の数は増加します。このようにして、エルビウムドープ繊維では母集団の反転分布が実現され、学習光増幅の条件が利用可能です。
入力信号光子エネルギーE = HFがE2とE1、E2-E1 = HFのエネルギーレベルの差に正確に等しい場合、メタスト可能な状態の粒子は、刺激放射の形で基底状態E1に移行します。放射と入力信号内の光子は光子と同一であるため、光子の数が大幅に増加し、入力光信号がエルビウムドープ繊維の強力な出力光信号になり、光信号の直接増幅を実現します。

2。システム図と基本的なデバイスの紹介
2.1。 Lバンド光ファイバーアンプシステムの概略図は次のとおりです。