Rof 電気光学変調器 850 nm 電気光学強度変調器 10G

最大DC消光比

この実験では、システムにRF信号は印加されていません。純粋なDC消光が測定されました。
1. 図5は、変調器をピーク点で制御したときの変調器出力の光パワーを示しています。図では3.71dBmを示しています。
2. 図6は、変調器をヌル点に制御したときの変調器出力の光パワーを示しています。図では-46.73dBmとなっています。実際の実験では、値は-47dBm付近で変動し、-46.73dBmが安定した値となります。
3. したがって、測定された安定した直流消光比は50.4dBである。

高い消光比の要件

1. システム変調器は高い消光比を備えている必要があります。システム変調器の特性によって、達成可能な最大消光比が決まります。
2．変調器入力光の偏光に注意する必要があります。変調器は偏光に敏感です。適切な偏光により、消光比を10dB以上向上させることができます。実験室での実験では、通常、偏光コントローラが必要です。
3. 適切なバイアスコントローラ。当社のDC消光比実験では、50.4dBの消光比を達成しました。変調器メーカーのデータシートには40dBしか記載されていません。この改善の理由は、一部の変調器のドリフトが非常に速いためです。Rofea R-BC-ANYバイアスコントローラは、高速なトラック応答を確保するために、バイアス電圧を1秒ごとに更新します。