Rof EOM 1550nm 強度変調器 2.5G 薄膜ニオブ酸リチウム変調器
特徴
* 低い挿入損失
* 高帯域幅
* 低い半波電圧
*カスタマイズオプション
応用
⚫ ROFシステム
⚫ 量子鍵配布
⚫ レーザーセンシングシステム
⚫ 側波帯変調
波長
⚫750nm
⚫850nm
⚫ 1064nm
⚫ 1310nm
⚫ 1550nm
帯域幅
⚫10GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz
R-AM-15-2.5G
| パラメータ | シンボル | 分 | タイプ | マックス | ユニット | ||||
| 光学パラメータ | |||||||||
| オペレーティング波長 | l | 1530 | 1550 | 1565年 | nm | ||||
| 挿入損失 | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| 光学的リターンロス | オーラル | -45 | dB | ||||||
| スイッチ消光比@DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| 動的消光比 | DER | 13 | dB | ||||||
| 光ファイバー | 入力ポート | パンダPM フジクラSM | |||||||
| 出力ポート | パンダPM フジクラSM | ||||||||
| 光ファイバーインターフェース | FC/PC、FC/APC またはユーザー指定 | ||||||||
| 電気的パラメータ | |||||||||
| オペレーティング帯域幅（-3dB） | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
| 半波電圧 Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bイアス | @バイアス |
| 6 | 7 | V | ||||
| 電気alリターンロス | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| 入力インピーダンス | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| バイアス | Zバイアス | 1M | W | ||||||
| 電気インターフェース | SMA(メス) | ||||||||
限界条件
| パラメータ | シンボル | ユニット | 分 | タイプ | マックス |
| 入力光パワー | Pで、マックス | dBm | 20 | ||
| I入力RF電力 | dBm | 28 | |||
| バイアス電圧 | ヴィバイアス | V | -15 | 15 | |
| オペレーティング温度 | トップ | ℃ | -10 | 60 | |
| 保管温度 | テスト | ℃ | -40 | 85 | |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 |
S21 カーブ
S11 カーブ(&S11)
S21&S11カーブ
機械図
| ポート | シンボル | 注記 |
| で | O光入力ポート | PMファイバー(125μm/250μm) |
| 外 | O光出力ポート | PM ファイバ(125μm/250μm) |
| RF | RF入力ポート | SMA(f)/ K(f) / V(f) |
| バイアス | バイアス制御ポート | 1、2 バイアス、3-PDカソード、4-PDアノード |
Rofea Optoelectronics は、商用電気光学変調器、位相変調器、強度変調器、光検出器、レーザー光源、DFB レーザー、光増幅器、EDFA、SLD レーザー、QPSK 変調、パルス レーザー、光検出器、平衡光検出器、レーザー ドライバーの製品ラインを提供しています。 、光ファイバアンプ、光パワーメータ、ブロードバンドレーザ、チューナブルレーザ、光検出器、レーザダイオードドライバ、ファイバアンプ。また、主に大学や研究機関で使用される、1*4 アレイ位相変調器、超低 Vpi、超高消光比変調器など、カスタマイズ用の特定の変調器も多数提供しています。
当社の製品が皆様の研究に役立つことを願っています。
