Rof 電気光学変調器 780nm 位相変調器 10G

簡単な説明:

ROF-PMシリーズ780nmニオブ酸リチウム電気光学位相変調器は高度な陽子交換技術を採用しており、低い挿入損失、高い変調帯域幅、低い半波長電圧などの特性を備え、主に宇宙光通信システム、セシウム原子時間基準、スペクトル拡大に使用されます。 、干渉法、その他の分野。


製品詳細

Rofea オプトエレクトロニクスは、光学およびフォトニクス電気光学変調器製品を提供します

製品タグ

特徴

高い変調帯域幅

低い半波電圧

低い挿入損失

電気光学変調器 位相変調器 LiNbO3 位相変調器 LiNbO3 変調器 低 Vpi 位相変調器

応用

宇宙光通信システム

セシウム原子時間基準

スペクトルの広がり

干渉計

パラメータ

パラメータ

シンボル

タイプ

マックス

ユニット

光学パラメータ
オペレーティング波長

l

760

780

800

nm

挿入損失

IL

 

2.5

3

dB

光学的リターンロス

オーラル

   

-45

dB

分極消光比

PER

20

   

dB

光ファイバー

入力ポート

 

780nm PMファイバー(125/250μm)

出力ポート

 

780nm PMファイバー(125/250μm)

光ファイバーインターフェース  

FC/PC、FC/APC またはカスタマイズ

電気的パラメータ
オペレーティング帯域幅-3dB)

S21

8

10

 

GHz

半波電圧@50KHz

VΠ

2.5

3

V

電気alリターンロス

S11

 

-12

-10

dB

入力インピーダンス

ZRF

50

W

電気インターフェース  

K(f)

限界条件

パラメータ

シンボル

ユニット

タイプ

マックス

入力光パワー@780nm

Pで、マックス

dBm

13

I入力RF電力

dBm

33

オペレーティング温度

トップ

-10

60

保管温度

テスト

-40

85

湿度

RH

%

5

90

特性曲線

P1
P2

S11&S21 カーブ

機構図(mm)

PP1

R-PM-15-10G

PP2

R-PM-15-300M

注文情報

ロフ PM 15 10G XX XX
  タイプ:

PM---位相変調器

波長:

07---780nm

08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

動作帯域幅:

300M---300MHz

10G---10GHz

20G---20GHz

40G---40GHz

 

In-Outファイバータイプ:

PP---午後/午後

PS---PM/SMF

SS---SMF/SMF

 

光コネクタ:

FA---FC/APC

FP---FC/PC

SP---カスタマイズ

 

* 特別なご要望がある場合は、弊社営業までお問い合わせください。

私たちについて

Rofea Optoelectronics は、電気光学変調器、位相変調器、光検出器、レーザー光源、DFB レーザー、光増幅器、EDFA、SLD レーザー、QPSK 変調、パルスレーザー、光検出器、平衡光検出器、半導体レーザー、レーザーなどの幅広い商用製品を提供しています。ドライバー、ファイバーカプラ、パルスレーザー、ファイバーアンプ、光パワーメーター、ブロードバンドレーザー、チューナブルレーザー、光遅延線、電気光学変調器、光検出器、レーザーダイオードドライバー、ファイバー増幅器、エルビウムドープファイバー増幅器およびレーザー光源。


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  • Rofea Optoelectronics は、商用電気光学変調器、位相変調器、強度変調器、光検出器、レーザー光源、DFB レーザー、光増幅器、EDFA、SLD レーザー、QPSK 変調、パルス レーザー、光検出器、平衡光検出器、レーザー ドライバーの製品ラインを提供しています。 、光ファイバアンプ、光パワーメータ、ブロードバンドレーザ、チューナブルレーザ、光検出器、レーザダイオードドライバ、ファイバアンプ。また、主に大学や研究機関で使用される、1*4 アレイ位相変調器、超低 Vpi、超高消光比変調器など、カスタマイズ用の特定の変調器も多数提供しています。
    当社の製品が皆様の研究に役立つことを願っています。

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