光検出器は、光信号を電気信号に変換するデバイスです。半導体光検出器では、入射光子によって励起された光生成キャリアは、印加されたバイアス電圧の下で外部回路に入り、測定可能な光電流を形成します。最大応答性であっても、PINフォトダイオードは、せいぜい電子ホールペアのペアのペアのみを生成できます。これは、内部ゲインのないデバイスです。応答性を高めるために、雪崩フォトダイオード（APD）を使用できます。
光電流に対するAPDの増幅効果は、イオン化衝突効果に基づいています。特定の条件下では、加速された電子と穴が格子と衝突するのに十分なエネルギーを得て、新しい電子ホールペアの新しいペアを生成することができます。このプロセスは連鎖反応であるため、光吸収によって生成される電子穴ペアのペアは、多数の電子穴ペアを生成し、大きな二次光電流を形成することができます。したがって、APDには高い応答性と内部ゲインがあり、デバイスの信号対雑音比が改善されます。 APDは、主に、受信した光学電力に関する他の制限を伴う長距離またはより小さな光ファイバー通信システムで使用されます。現在、多くの光学装置の専門家は、APDの見通しについて非常に楽観的です。
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特徴
スペクトル範囲：320-1000NM
3DBBANDWIDTH：200MHz-50GHz
光ファイバーカップリング出力2.5Gbps
モジュレータータイプ
3DBBANDWIDT：
200MHz、1GHz 、10GHz 、20GHz 、50GHz
応用
高速光パルス検出
高速光通信
マイクロ波リンク
ブリルアイン光ファイバーセンシングシステム
投稿時間：6月21日 - 2023年