Rof電気光学変調器 波長1064nm 強度変調器 300M ニオブ酸リチウム変調器
特徴
高い変調帯域幅
低半電圧
高い安定性
低挿入損失
応用
光ファイバーセンシングシステム
パルス光変調システム
パルスジェネレータ
アナログ伝送リンク
仕様
| パラメータ | シンボル | 分 | タイプ | マックス | ユニット | |
| 光学 パラメータ | ||||||
| 動作波長 | l | 980 | 1060 | 1150 | nm | |
| 挿入損失 | IL | - | 4 | 5 | dB | |
| 光リターンロス | オーラル | -40 | -45 | - | dB | |
| スイッチ消光比@DC | ER@DC | 20 | 23 | - | dB | |
| 動的消光比 | DER | 12 | 13 | dB | ||
| 光ファイバー | 入力ポート | PMファイバー 980 nm | ||||
| 出力ポート | PMファイバー 980 nm | |||||
| 光ファイバーインターフェース | FC/PC、FC/APC またはユーザー指定 | |||||
| 電気 パラメータ | ||||||
| 動作帯域幅（-3dB） | S21 | 300 | MHz | |||
| 半波 | RF | Vπ | 3 | 3.5 | V | |
| 電気リターンロス | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| 入力インピーダンス | RF | ZRF | 50 | W | ||
| バイアス | ズバイアス | 1M | W | |||
| 電気インターフェース | SMA | |||||
| バイアスピンの定義 | 1,2-バイアス 3,4- N/C | |||||
制限条件
| パラメータ | シンボル | ユニット | 分 | タイプ | マックス |
| 入力光パワー | ピン、マックス | dBm | 13 | ||
| 入力RF電力 | dBm | 28 | |||
| バイアス電圧 | Vバイアス | V | -20 | 20 | |
| 動作温度 | トップ | ℃ | 0 | 70 | |
| 保管温度 | ツスト | ℃ | -40 | 85 | |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 |
キャラクテリスティック曲線
注文情報:
| ROF | AM | 10 | XX | XX | XX |
| 変調器の種類：AM---強度変調器 | 動作波長：10～1064nm | 動作帯域幅： 300M---DC-300MHz 2.5G---2.5GHz 10G---10GHz 20G---20GHz | 入力出力光ファイバー：PS---PM/SMFPM--- PM/PMF | コネクタ：FA---FC/APCFP---FC/PC SP---ユーザー指定 |
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Rofea Optoelectronicsは、商用電気光学変調器、位相変調器、強度変調器、光検出器、レーザー光源、DFBレーザー、光増幅器、EDFA、SLDレーザー、QPSK変調器、パルスレーザー、光検出器、バランス型光検出器、レーザードライバ、光ファイバー増幅器、光パワーメーター、広帯域レーザー、チューナブルレーザー、光検出器、レーザーダイオードドライバ、光ファイバー増幅器などの製品ラインを提供しています。また、1×4アレイ位相変調器、超低Vpi変調器、超高消光比変調器など、大学や研究所で主に使用されている、カスタマイズ可能な特殊変調器も多数提供しています。
当社の製品があなたとあなたの研究に役立つことを願っています。
