Rof電気光学変調器 1310nm強度変調器 2.5Gマッハツェンダ変調器
特徴
低挿入損失
帯域幅: 2.5GHz
低半波電圧
カスタマイズオプション
応用
ROFシステム
量子鍵配送
レーザーセンシングシステム
サイドバンド変調
光学パラメータ
| パラメータ | シンボル | 分 | タイプ | マックス | ユニット | |
| 動作波長 | l | 1290 | 1310 | 1330 | nm | |
| 挿入損失 | IL | 4 | 5 | dB | ||
| 光リターンロス | オーラル | -45 | dB | |||
| スイッチ消光比@DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | ||
| 動的消光比 | DER | 13 | dB | |||
| 光ファイバー | 入力ポート | PMファイバー（125/250μm） | ||||
| 出力ポート | PMファイバーまたはSMファイバー（125/250μm） | |||||
| 光ファイバーインターフェース | FC/PC、FC/APCまたはカスタマイズ | |||||
電気的パラメータ
| パラメータ | シンボル | 分 | タイプ | マックス | ユニット | |
| 動作帯域幅（-3dB） | S21 | 2.5 | ギガヘルツ | |||
| 半波電圧 | RF | VΠ@1KHz | 3 | 4 | V | |
| バイアス | VΠ@1KHz | 3.5 | 4.5 | V | ||
| 電気リターンロス | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| 入力インピーダンス | RF | ZRF | 50 | W | ||
| バイアス | ズバイアス | 1M | W | |||
| 電気インターフェース | SMA(f) | |||||
制限
| パラメータ | シンボル | ユニット | 分 | タイプ | マックス |
| 入力光パワー | ピン、マックス | dBm | 20 | ||
| 入力RF電力 | dBm | 28 | |||
| バイアス電圧 | Vバイアス | V | -15 | 15 | |
| 動作温度 | トップ | ℃ | -10 | 60 | |
| 保管温度 | ツッ | ℃ | -40 | 85 | |
| 湿度 | RH | % | 5 | 90 |
注文情報
| R | AM | 15 | 10G | XX | XX |
| タイプ： | 波長： | 動作帯域幅： | インアウトファイバータイプ： | 光コネクタ： | |
| AM---強度 | 08---850nm | 2.5G---10GHz | PP---午後/午後 | FA---FC/APC | |
| 変調器 | 10---1060nm | 10G---10GHz | PS---PM/SMF | FP---FC/PC | |
| 13---1310nm | 20G---10GHz | XX---カスタマイズ | |||
| 15---1550nm |
機械図
| ポート | シンボル | 注記 |
| In | 光入力ポート | PMファイバー（125μm/250μm） |
| 外 | 光出力ポート | PMおよびSMファイバーオプション |
| RF | RF入力ポート | SMA(f) |
| バイアス | バイアス制御ポート | 1,2バイアス、34-N/C |
Rofea Optoelectronicsは、商用電気光学変調器、位相変調器、強度変調器、光検出器、レーザー光源、DFBレーザー、光増幅器、EDFA、SLDレーザー、QPSK変調器、パルスレーザー、光検出器、バランス型光検出器、レーザードライバ、光ファイバー増幅器、光パワーメーター、広帯域レーザー、チューナブルレーザー、光検出器、レーザーダイオードドライバ、光ファイバー増幅器などの製品ラインを提供しています。また、1×4アレイ位相変調器、超低Vpi変調器、超高消光比変調器など、大学や研究所で主に使用されている、カスタマイズ可能な特殊変調器も多数提供しています。
当社の製品があなたとあなたの研究に役立つことを願っています。