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ROF光変調器 780nm電気光学位相変調器 10G EO変調器
ROF-PM シリーズ 780nm ニオブ酸リチウム電気光学位相変調器は、先進的なプロトン交換技術を採用しており、挿入損失が低く、変調帯域幅が広く、半波電圧が低いなどの特性があり、主に宇宙光通信システム、セシウム原子時間基準、スペクトル拡張、干渉測定などの分野で使用されます。
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Rof光変調器 1064nm 低Vpi位相変調器 電気光学変調器
ロフPM-UVシリーズ 低Vpi位相変調器半波電圧が低い(2V)、低挿入損失、高帯域幅、光パワーの高損傷特性、高速光通信システムにおけるチャープは、主に光制御、コヒーレント通信システムの位相シフト、サイドバンドROFシステム、ブリスベン深部刺激散乱(SBS)などの光ファイバ通信システムのシミュレーションの削減に使用されます。
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ROF EOM変調器薄膜ニオブ酸リチウム変調器低Vpi位相変調器
ROF-PM-UV シリーズ Low-Vpi 位相変調器は、低半波電圧 (2.5V)、低挿入損失、高帯域幅、高光パワーのダメージ特性を備えており、高速光通信システムにおけるチャープは主に光制御、コヒーレント通信システムの位相シフト、サイドバンド ROF システム、ブリスベン深部刺激散乱 (SBS) などの光ファイバ通信システムのシミュレーションの削減に使用されます。
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Rof電気光変調器 1064nm Eo変調器 LiNbO3位相変調器 2G
LiNbO3位相変調器は、優れた電気光学効果を有するため、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROFシステムに広く使用されています。Ti拡散技術とAPE技術をベースとしたR-PMシリーズは、安定した物理的・化学的特性を備えており、実験室実験や産業システムにおけるほとんどのアプリケーションの要件を満たすことができます。
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Rof電気光学変調器 1550nm AMシリーズ 高消光比強度変調器
ROF-AM-HERシリーズは、M-Zプッシュプル構造強度に基づく高消光比の電気光学変調器で、半波電圧が低く、物理的・化学的特性が安定しており、特殊な技術を使用してDCの高消光比のデバイスを確保し、デバイスの応答速度が速いため、光パルス発生器、光ファイバーセンシング、レーザーレーダーなどの分野で広く使用されています。
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Rof電気光変調器 波長1064nm 強度変調器 10GHz
ROF-AM 1064nm ニオブ酸リチウム光強度変調器先進的なプロトン交換プロセスを採用しており、挿入損失が低く、変調帯域幅が大きく、半波長電圧が低いなどの特徴があり、宇宙光通信システム、パルス発生装置、量子光学などの分野で使用されています。
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Rof電気光学変調器 780nm LiNbO3強度変調器 10G
LiNbO3強度変調器は、優れた電気光学特性により、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROFシステムに広く使用されています。MZプッシュプル構造とXカット設計に基づくR-AMシリーズは、安定した物理的・化学的特性を備えており、実験室実験と産業システムの両方に適用できます。
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Rof バイアスポイントコントローラ リチウムニオブ酸塩 MZ 変調器の自動バイアス制御モジュール
ROFABC-MZシリーズ自動バイアス制御モジュールは、ニオブ酸リチウムMZ変調器の自動バイアス制御に使用され、変調器を最低点、最高点、または直交点(線形領域)で安定動作させることができます。また、このモジュールは1/99カプラを内蔵しており、外部シリアルポートを介して動作点の切り替えを制御できます。また、手動調整モードもサポートしており、様々な波長変調器やアプリケーションに適しており、大学の研究室におけるデスクトップ実験の構築に最適です。
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Rof電気光学変調器Eo変調器300MHz 1064nm LiNbO3位相変調器
LiNbO3位相変調器は、優れた電気光学効果を有するため、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROFシステムに広く使用されています。Ti拡散技術とAPE技術をベースとしたR-PMシリーズは、安定した物理的・化学的特性を備えており、実験室実験や産業システムにおけるほとんどのアプリケーションの要件を満たすことができます。
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Rof電気光学変調器 1550nm LiNbO3強度変調器 50G
LiNbO3強度変調器は、優れた電気光学特性により、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROFシステムに広く使用されています。MZプッシュプル構造とXカット設計に基づくR-AMシリーズは、安定した物理的・化学的特性を備えており、実験室実験と産業システムの両方に適用できます。
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Rof電気光学変調器 1550nm位相変調器 40Gニオブ酸リチウム変調器
チタン拡散プロセスに基づくニオブ酸リチウム電気光学位相変調器(ニオブ酸リチウム変調器)は、挿入損失が低く、変調帯域幅が広く、半波電圧が低く、損傷光パワーが高いなどの特性を持っています。主に高速光通信システムにおける光チャープ制御、コヒーレント通信システムにおける位相シフト、ROFシステムにおけるサイドバンド生成、アナログ光ファイバー通信システムにおける誘導ブリルアン散乱(SBS)の低減などの分野で使用されています。
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Rof電気光学変調器 1550nm位相変調器 20Gニオブ酸リチウム変調器
チタン拡散プロセスに基づくニオブ酸リチウム電気光学位相変調器(ニオブ酸リチウム変調器)は、挿入損失が低く、変調帯域幅が広く、半波電圧が低く、損傷光パワーが高いなどの特性を持っています。主に高速光通信システムにおける光チャープ制御、コヒーレント通信システムにおける位相シフト、ROFシステムにおけるサイドバンド生成、アナログ光ファイバー通信システムにおける誘導ブリルアン散乱(SBS)の低減などの分野で使用されています。