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Rof EO変調器位相変調器20G薄膜ニオブ酸リチウム変調器
薄膜ニオブ酸リチウム位相変調器は、高性能電気光変換デバイスの一種です。高精度カップリング技術を用いてパッケージングされており、極めて高い電気光変換効率を実現しています。従来のニオブ酸リチウム結晶変調器と比較して、半波長電圧が低く、安定性が高く、デバイスサイズが小さいという特徴があり、デジタル光通信、マイクロ波フォトニクス、基幹通信ネットワーク、通信研究プロジェクトなど、幅広い用途に活用できます。
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Rof EOM変調器薄膜ニオブ酸リチウム変調器40G位相変調器
薄膜ニオブ酸リチウム位相変調器は、高性能電気光変換デバイスの一種です。高精度カップリング技術を用いてパッケージングされており、極めて高い電気光変換効率を実現しています。従来のニオブ酸リチウム結晶変調器と比較して、半波長電圧が低く、安定性が高く、デバイスサイズが小さいという特徴があり、デジタル光通信、マイクロ波フォトニクス、基幹通信ネットワーク、通信研究プロジェクトなど、幅広い用途に活用できます。
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Rof EOM変調器 40GHz位相変調器 薄膜ニオブ酸リチウム変調器
薄膜ニオブ酸リチウム位相変調器は、高性能電気光変換デバイスの一種です。高精度カップリング技術を用いてパッケージングされており、極めて高い電気光変換効率を実現しています。従来のニオブ酸リチウム結晶変調器と比較して、半波長電圧が低く、安定性が高く、デバイスサイズが小さいという特徴があり、デジタル光通信、マイクロ波フォトニクス、基幹通信ネットワーク、通信研究プロジェクトなど、幅広い用途に活用できます。
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ROF EOM変調器薄膜ニオブ酸リチウム変調器低Vpi位相変調器
ROF-PM-UV シリーズ Low-Vpi 位相変調器は、低半波電圧 (2.5V)、低挿入損失、高帯域幅、高光パワーのダメージ特性を備えており、高速光通信システムにおけるチャープは主に光制御、コヒーレント通信システムの位相シフト、サイドバンド ROF システム、ブリスベン深部刺激散乱 (SBS) などの光ファイバ通信システムのシミュレーションの削減に使用されます。
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Rof電気光学変調器 1550nm位相変調器 40Gニオブ酸リチウム変調器
チタン拡散プロセスに基づくニオブ酸リチウム電気光学位相変調器（ニオブ酸リチウム変調器）は、挿入損失が低く、変調帯域幅が広く、半波電圧が低く、損傷光パワーが高いなどの特性を持っています。主に高速光通信システムにおける光チャープ制御、コヒーレント通信システムにおける位相シフト、ROFシステムにおけるサイドバンド生成、アナログ光ファイバー通信システムにおける誘導ブリルアン散乱（SBS）の低減などの分野で使用されています。
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Rof電気光学変調器 1550nm位相変調器 20Gニオブ酸リチウム変調器
チタン拡散プロセスに基づくニオブ酸リチウム電気光学位相変調器（ニオブ酸リチウム変調器）は、挿入損失が低く、変調帯域幅が広く、半波電圧が低く、損傷光パワーが高いなどの特性を持っています。主に高速光通信システムにおける光チャープ制御、コヒーレント通信システムにおける位相シフト、ROFシステムにおけるサイドバンド生成、アナログ光ファイバー通信システムにおける誘導ブリルアン散乱（SBS）の低減などの分野で使用されています。
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Rof電気光学変調器 1550nm位相変調器 10G linbo3変調器
LiNbO3位相変調器（Linbo3変調器）は、優れた電気光学効果により、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROFシステムに広く使用されています。Ti拡散技術とAPE技術をベースとしたR-PMシリーズは、安定した物理的・化学的特性を備えており、実験室実験や産業システムにおけるほとんどのアプリケーションの要件を満たすことができます。
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Rof電気光学変調器1550nm位相変調器300M
LiNbO3位相変調器は、優れた電気光学効果を有するため、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROFシステムに広く使用されています。Ti拡散技術とAPE技術をベースとしたR-PMシリーズは、安定した物理的・化学的特性を備えており、実験室実験や産業システムにおけるほとんどのアプリケーションの要件を満たすことができます。
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Rof電気光学変調器ニオブ酸リチウム変調器1550nm位相変調器
ニオブ酸リチウム電気光学位相変調器（ニオブ酸リチウム変調器）は、挿入損失が低く、帯域幅が広く、半波長電圧が低く、光パワーの高損傷特性があり、高速光通信システムにおけるチャープは主に光制御、コヒーレント通信システムの位相シフト、サイドバンドROFシステム、ブリスベン深部刺激散乱（SBS）などの光ファイバ通信システムのシミュレーションの削減に使用されます。
