Rof 電気光学変調器 1550nm AM シリーズ強度変調器 2.5G

簡単な説明:

LiNbO3 強度変調器は、電気光学性能が優れているため、高速光通信システム、レーザーセンシング、ROF システムなどで広く使用されています。 MZプッシュプル構造とXカット設計に基づいたR-AMシリーズは、安定した物理的および化学的特性を備えており、実験室実験と産業システムの両方に適用できます。

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製品詳細

Rofea オプトエレクトロニクスは、光学およびフォトニクス電気光学変調器製品を提供します

製品タグ

特徴

* 低い挿入損失
* 高帯域幅
* 低い半波電圧
*カスタマイズオプション

電気光学変調器電気光学変調器 LiNbO3 強度変調器 MZM 変調器マッハツェンダー変調器 LiNbO3 変調器ニオブ酸リチウム変調器

応用

⚫ ROFシステム
⚫ 量子鍵配布
⚫ レーザーセンシングシステム
⚫ 側波帯変調

波長

⚫750nm

⚫850nm

⚫ 1064nm

⚫ 1310nm

⚫ 1550nm

帯域幅

⚫10GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz

R-AM-15-2.5G

パラメータ				シンボル		分	タイプ	マックス	ユニット
光学パラメータ
オペレーティング波長				l		1530	1550	1565年	nm
挿入損失				IL			4	5	dB
光学的リターンロス				オーラル				-45	dB
スイッチ消光比@DC				ER@DC		20	23	45	dB
動的消光比				DER			13		dB
光ファイバー	入力ポート					パンダPM フジクラSM
	出力ポート					パンダPM フジクラSM
光ファイバーインターフェース						FC/PC、FC/APC またはユーザー指定
電気的パラメータ
オペレーティング帯域幅（-3dB）					S₂₁	2.5	3		GHz
半波電圧 Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bイアス			@バイアス		6	7	V
電気alリターンロス					S₁₁		-12	-10	dB
入力インピーダンス			RF		Z_RF	50			W
			バイアス		Z_バイアス	1M			W
電気インターフェース						SMA(f)

限界条件

パラメータ	シンボル	ユニット	分	タイプ	マックス
入力光パワー	P_{で、マックス}	dBm			20
I入力RF電力		dBm			28
バイアス電圧	ヴィバイアス	V	-15		15
オペレーティング温度	トップ	℃	-10		60
保管温度	テスト	℃	-40		85
湿度	RH	%	5		90

S21 カーブ

S11 カーブ(&S11)

S21&S11カーブ

機械図

ポート	シンボル	注記
で	O光入力ポート	PMファイバー(125μm/250μm)
外	O光出力ポート	PM ファイバ(125μm/250μm)
RF	RF入力ポート	SMA(f)/ K(f) / V(f)
バイアス	バイアス制御ポート	1、2 バイアス、3-PDカソード、4-PDアノード

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Rofea Optoelectronics は、商用電気光学変調器、位相変調器、強度変調器、光検出器、レーザー光源、DFB レーザー、光増幅器、EDFA、SLD レーザー、QPSK 変調、パルスレーザー、光検出器、平衡光検出器、レーザードライバーの製品ラインを提供しています。、光ファイバアンプ、光パワーメータ、ブロードバンドレーザ、チューナブルレーザ、光検出器、レーザダイオードドライバ、ファイバアンプ。また、主に大学や研究機関で使用される、1*4 アレイ位相変調器、超低 Vpi、超高消光比変調器など、カスタマイズ用の特定の変調器も多数提供しています。
当社の製品が皆様の研究に役立つことを願っています。